Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Mühendisliği Bölümü Koleksiyonu

Permanent URI for this collectionhttps://hdl.handle.net/20.500.12573/207

Browse

Browsing Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Mühendisliği Bölümü Koleksiyonu by Subject "Bakır Nanotel"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Research Project
    Ekran uygulamaları için bulanıklı azaltıcı metal nanotel saydam elektrotlar
    (TUBİTAK, 2015) Çıtır, Murat; Şen, Ünal; Kılıç, Ahmet; Canlier, Ali; Ata, Ali; 0000-0002-5009-5197; AGÜ, Mühendislik Fakültesi, Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Mühendisliği Bölümü; Çıtır, Murat; Şen, Ünal; Kılıç, Ahmet; Canlier, Ali; Ata, Ali; 01. Abdullah Gül University
    Günümüzde kullanılmakta olan İndiyum Kalay Oksit (ITO) saydam elektrotnunun indiyum_x000D_ elementinin doğada az bulunması, malzemelerin ve prosesin pahalı olması, esnek ve_x000D_ dokunmatik ekranlarda ölümcül olabilecek mekanik kırılganlığının olması gibi özellikleri_x000D_ kullanımını sınırlamaktadır. ITO’nun yerine geçebilecek karbon nanotüp, grafen ve metal nanotel_x000D_ elektrotlar gibi gelecek vaat eden saydam iletken malzemeler çalışılmaktadır. Bunlar arasında_x000D_ metal nanoteller, ITO’nun sayılan dezavantajlarını gidermesine ek olarak optik ve elektriksel_x000D_ özelliklerinin en az ITO kadar iyi olmasından dolayı özellikle gelecek vaat etmektedir. Metal_x000D_ nanoteller çözelti sentezi yöntemiyle yüksek verimde üretilebilir ve çözeltiye dağıtılmış nanoteller_x000D_ spin-coating veya sprey yöntemiyle geniş subtratlara kolayca kaplanabilir. Bu devrim_x000D_ niteliğindeki teknoloji özellikle mekanik esneklik isteyen ürünlerde kullanılmak üzere ekran_x000D_ endüstrisine büyük etkisi olacaktır._x000D_ Önerilen proje kapsamında, hedef geçirgenlik başına nanotel elektrotların iletkenliği iki_x000D_ yöntemle geliştirilmesi amaçlanmaktadır: 1) daha ince ve daha uzun nanoteller sentezleyip_x000D_ kesişim nokta (junction) sayısını azaltmak ve 2) nanoteller üzerindeki oksit tabakasını gidererek_x000D_ ve nanotelleri iletkenliği yüksek altın (veya inert metal) tabakasıyla kaplayarak junction direncini_x000D_ azaltmak. Böylece bu çalışmayla ekran uygulamaları için hedeflenen levha direncine daha az_x000D_ nanotel kullanılarak ulaşılacaktır. Bu durum toplam geçirgenliğin iyileşmesini ve bulanıklık_x000D_ seviyesinin düşmesini sağlayacaktır. Son çalışmalara göre bulanıklık seviyesi 8 ohm/sq levha_x000D_ direnç ve %80 diffusive geçirgenlikte %15 seviyesindedir. Bulanıklık seviyesinin yüksek olması_x000D_ güneş pilleri için bir avantaj iken, yüksek-teknolojik ve askeri uygulamalarda kullanılacak_x000D_ ekranlar için düşük bulanıklık (<5%) seviyesine ihtiyaç vardır. Önerilen projede nanotellerin enboy oranını küçülterek ve junction direncini azaltarak toplam bulanıklığın azaltılmasıyla bu_x000D_ teknolojinin ekranlar için uygun hale gelmesi amaçlanmaktadır.